单晶硅生产工艺及中间体组成方式（三环唑中间体） | （除草安全剂） | 九游中心

告诉你单晶硅生产工艺及用途（三环唑中间体），单晶硅是一种良康复的半导材料，具有基本完整的点阵结构的晶体。单晶硅不同的方向具有不同的性质，用于制造半导体器件、（甲氧咪草烟）电池等。

单晶硅生产工艺

加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长

（1）加料：将多晶硅原料及杂质放入石英坩埚内，杂质的种类依电阻的N或P型而定。杂质种类有硼，磷，锑，砷。

（2）熔化：加完多晶硅原料于石英埚内后，长晶炉必须关闭并抽成真空后充入高纯氩气使之维持一定压力范围内，然后打开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃）以上，将多晶硅原料熔化。

（3）缩颈生长：当硅熔体的温度稳定之后，将籽晶慢慢浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体场接触时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错必须利用缩颈生长使之消失掉。缩颈生长是将籽晶快速向上提升，使长出的籽晶的直径缩小到一定大小（4－6mm）由于位错线与生长轴成一个交角，只要缩颈够长，位错便能长出晶体表面，产生零位错的晶体。

（4）放肩生长：长完细颈之后，须降低温度与拉速，使得晶体的直径慢慢增大到所需的大小。

（5）等径生长：长完细颈和肩部之后，借着拉速与温度的不断调整，可使晶棒直径维持在正负2mm之间，这段直径固定的局部即称为等径局部。单晶硅片取自于等径局部。

（6）尾部生长：在长完等径局部之后，如果立刻将晶棒与液面离开，那么热应力将使得晶棒出现位错与滑移线。于是为了避免此问题的发生，必须将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面离开。这一过程称之为尾部生长。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段工夫后取出，即完成一次生长周期。

单晶硅的用途（三环唑中间体）

单晶硅主要用于制作半导体元件。

用途（三环唑中间体）：是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。

单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的老本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体伸长办法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法伸长单晶硅棒材，外延法伸长单晶硅薄膜。直拉法伸长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、（甲氧咪草烟）电池。晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，宽泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。

由于老本和性能的起因，直拉法（CZ）单晶硅材料应用最广。在IC工业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。存储器电路通常使用CZ抛光片，因老本较低。逻辑电路一般使用价格较高的外延片，因其在IC制造中有更康复的适用性并具有打消Latch－up的能力。

硅片直径越大，技术要求越高，越有市场医药中间体前景，价值也就越高。